저항 변화 메모리 소자

Resistive random access memory

Abstract

Disclosed is a nonvolatile resistive random access memory. The nonvolatile resistive random access memory includes an upper electrode, a lower electrode, an ion supply layer formed on the lower electrode, and a resistance change layer formed on the ion supply layer. The ion supply layer includes copper (Cu)-doped carbon (C). A low-power switching operation is performed because the optimal filament is formed by limiting the number of supplied ions, without using the existing method that supplies infinite ions by using a metal electrode.
비휘발성 저항 변화 메모리 소자가 개시된다. 본 저항 변화 메모리 소자는 상부 전극과, 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 이온 공급층과, 상기 이온 공급층 상에 형성된 저항 변화층을 포함한다. 상기 이온 공급층은 구리(Cu)가 도핑된 탄소(C)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실시 예들에 따르면, 금속 전극에 의해 무한대의 이온을 공급하는 기존의 방식에서 벗어나, 공급되는 이온의 양을 제한함으로써, 최적의 필라멘트를 형성하여 저전력 스위칭이 가능하다.

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