Opto-electric device and method for manufacturing the same

광전기 디바이스 및 이의 제조 방법

Abstract

광전기 디바이스(10)는 애노드 및 캐소드 층(각각 22, 24)뿐만 아니라 상기 애노드 및 캐소드층들 사이에 배치된 광전기층(26)을 가지고, 광투과 측면(28)을 가지는 광전기층 구조(20)를 가지고, 상기 애노드 및 캐소드층의 캐소드층은 광투과 측면에 가장 가깝다. 듀얼 전기 전도성층 구조(40)는 광-투과 측면 반대편 상기 광전기층 구조의 측면에 배치되고, 듀얼 전기 전도성층 구조는, 제1 전기 절연성층(46)에 의해 상호적으로 절연된 제1 및 제 2 전기 전도성층(각각 42, 44)을 가지고, 제1 및 제2 전기 전도성층의 제1 전기 전도성층은 광전기층 구조에 가장 가깝다. 제2 전기 절연성층(50)은 발광층 구조(20) 및 듀얼 전기 전도성층 구조(40) 사이에 배치되고, 제1 전기 전도성층(42)은 상기 애노드층을 가지는 상기 제2 절연성층을 통하여 적어도 제1 횡방향 전기적 컨덕터(62)에 의해 전기적으로 연결되고, 제2 전기 전도성층(44)은 상기 제1 전기 절연성층(46), 상기 제1 전기 전도성층(42), 상기 제2 전기 절연성층(50), 상기 애노드 전극층(22) 및 상기 캐소드층(24)을 가지는 상기 발광층(26)을 통하여 적어도 제2 횡방향 전기적 컨덕터(64)에 의해 전기적으로 연결된다.

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