Compositions and processes for immersion lithography

침지 리소그래피 처리용 조성물 및 방법

Abstract

침지 리소그래피에 유용한 신규 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 바람직한 포토레지스트 조성물은 염기 처리로 변화될 수 있는 수 접촉각을 가지는 하나 이상의 물질 및/또는 불소화 포토애시드-불안정성 그룹을 함유한 하나 이상의 물질 및/또는 중합체 백본으로부터 떨어져 위치한 산성 그룹을 함유한 하나 이상의 물질을 포함한다. 본 발명의 특히 바람직한 포토레지스트는 침지 리소그래피 처리동안 레지스트층과 접촉하는 침지 유체로 레지스트 물질이 침출하는 것을 감소시킬 수 있다.
Provided is a novel photoresist composition useful for immersion lithography. A desirable photoresist composition of the present invention comprises at least one material containing a water contact angle which can be changed by base treatment and/or at least one material containing fluorinated photoacid-labile groups and/or at least one material containing acidic groups separated from the polymer backbone. In particular, a photoresist of the present invention can reduce immersion of the resist material by immersion fluids touching a resist layer while treating immersion lithography.

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